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IRF1018EPBF  与  IPP084N06L3 G  区别

型号 IRF1018EPBF IPP084N06L3 G
唯样编号 A36-IRF1018EPBF A3-IPP084N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V 8.4mΩ
上升时间 - 26ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 79A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 79W
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 176 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.038
100+ :  ¥4.026
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1018EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥5.038 

阶梯数 价格
10: ¥5.038
100: ¥4.026
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¥11.8343 

阶梯数 价格
20: ¥11.8343
50: ¥7.1198
100: ¥6.5257
500: ¥6.1328
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